"Ta’limda raqamli va innovatsion texnologiyalarning o‘rni va istiqbollari" mavzusida ilmiy-amaliy konferensiya to‘plami. 2023-yil 14-dekabr.

Menejment va zamonaviy texnologiyalar universiteti 2023-yil 14-dekabr 6IJIVIRGIW ?A%XLVI]E/& 2I]4)&VERGLMRKTVSGIWWIW7TVMRKIV2I[=SVO ?A ,EVVMW 8) 7SQI QEXLIQEXMGEP QSHIPW JSV FVERGLMRK TVSGIWWIW 4VSGIIHMRKW SJ RH &IVOIPI]7]QTSWMYQ– [3] Севастьянов Б.А. Ветвящиеся процессы, Наука, Москва, 1971. 301

Menejment va zamonaviy texnologiyalar universiteti 2023-yil 14-dekabr КВАНТОВОРАЗМЕРНЫЙЭФФЕКТ В КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ, СОДЕРЖАЩИХ НАНОЧАСТИЦ НИКЕЛЯ Боймуратов Ф.Т ., Улашов А., Назиралиева У Университет Алфраганус.Кафедре фармацевтика и химия, JE\VMHHMRC$VEQFPIVVY UMFT. Кафедре фундаментальные науки, EPMWLIVXYMX$KQEMPGSQ Аннотация:В данный работе указано, что уменьшение материалов до нанометровых размеров приводит к проявлению в них так называемых «квантово размерных эффектов». Ключевые слова:, нанометровых размеров, «квантоворазмерных эффектов»,, неоднородных систем. Введение. Объяснить интерес к нанообъектам можно тем, что уменьшение материалов до нанометровых размеров приводит к проявлению в них так называемых «квантоворазмерных эффектов», когда размеры исследуемых объектов сравнимы с длиной дебройлевской волны электронов, фононов и экситонов. Одной из главных причин изменения физических и химических свойств малых частиц по мере уменьшения их размеров является рост относительной доли «поверхностных» атомов, находящихся в иных условиях (координационное число, симметрия локального окружения и т.п.), нежели атомы внутри объемной фазы. С энергетической точки зрения уменьшение размеров частицы приводит к возрастанию роли поверхностной энергии. Иначе говоря, лишь «внутренние» атомы будут формировать непрерывную энергетическую зону, тогда как энергетические уровни внешних (поверхностных) атомов будут дискретны и четко выражены. Именно в этом состоит одно из основных положений теории размерного кван тования, предложенной Ал. Эфросом и А. Эфросом в 1982 году, согласно которой центр наночастиц имеет зону с непрерывной электронной плотностью, а края состоят из дискретных уровней. Наиболее сильного этот эффект проявляется для полупроводниковых наночастиц с большим радиусом экстана. По этому разработка композиционных полимерных материалов, содержащих полупроводниковых наночастиц cульфида кадмия CdS на основе местного полиэтилена, исследование электрических и оптических свойств и обосновать возможности использования их как перспективные материалы оптоэлектроники нового поколения является весьма актуальным. Методом термического разложения формиата никеля, были получены композиционные материалы, представляющие собой никельсодержащие наночастицы, стабилизированные в объеме матриц из керамик и полимеров, а также исследованы их концентрационные зависимости электропроводности и диэлектрической проницаемости от объемного содержания наночастиц никеля [1A С помощью данной методики были получены наночастицы размером 20÷30 нм. Это известная методика хорошо используются когда полимеры растворяются в органических растворителях. Плохая растворимость полимеров в органических растворителях существенно сужает возможности введения в них наночастиц с размерами до 30 нм и с узким распределением по размерам. Целью настоящей работы являлась усовершенствование существующей методики получения композиционных полимерных материалов на основе полиэтилена высокого давления(ПЭВД), содержащих наночастицы CdS. За основу получения композиционных наноматериалов была взята методика 302

Menejment va zamonaviy texnologiyalar universiteti 2023-yil 14-dekabr «класпол», разработанная проф. С.П. Губином[5] и проф. И.Д. Кособудским[6]. Для синтеза CdS наночастиц использовались водные растворы. Разложение CdCl,7 осуществлялось в растворрасплаве полиэтиленмасло. Для этого в четырехгорбую колбу, снабженную мешалкой, капельной воронкой, термометром и холодильником, помещали 10 г полиэтилена и 100 мл масла. Затем осуществляли нагрев реакционной смеси до температуры синтеза (300°С) в атмосфере азота при интенсивном перемешивании. После чего, поддерживая постоянную температуру, с помощью капельной воронки в образовавшийся раствор–расплав полиэтиленмасло по каплям вводили водный раствор CdCl,S, скорость подачи раствора составила 15 мл/ч. Скорость подачи азота регулировали таким образом, чтобы обеспечить быстрое удаление из реактора газообразных продуктов. После добавления всего раствора реакционную массу выдерживали в течение одного часа при температуре синтеза, поддерживая интенсивное перемешивание. Затем нагрев прекращали и реакционную смесь охлаждали до комнатной температуры в атмосфере азота. После отмывки образцов от масла бензолом в аппарате Сокслетта образцы высушивали и хранили до начала исследований на воздухе. Определение размера наночастиц CdS в образцах осуществляли методом просвечивающей электронной микроскопии на микроскопе JEOL JEM 1011 при ускоряющем напряжении 80 кВ. Для проведения исследований образцы подвергали ультрозвуковому диспергированию в этаноле, а затем полученную дисперсию наносили на медную сетку, покрытую слоями формвара и углерода. На тёмносером фоне (полиэтилен) выделяются темные образования –наночастицы, форма которых близка к сферической. Согласно расчету полученных изображений был определён средний размер частиц CdS, которой был равен 2,2±0,2 нм. В работе [7] показано, что при уменьшении полупроводниковых наночастиц, начиная с определенного размера, проявляется «квантовый эффект»,т.е. наблюдаются уменьшение ширины энергетических зон, что приводит к росту энергии оптических переходов и сдвиг оптического спектра в коротковолновой области. Заключения. Для разработанных нами наноматериалов, содержащих наночастицы сульфида кадмия, исследованый их оптических свойств т.е. наблюдается смещение полос люминесценции в коротковолновую область. Показано что, разработанные материалы могут быт использованы для формирования излучающих компонентов при производстве оптических сенсоров и лазеров с перестраиваемой длиной волны. Литературы ?A 9QEV %FHYVEOLQERSZ 7LEQMP 7LEVMTSZ =E]VE 6EOLMQSZE 1YRMVE /EVEFEIZE ERH 1EOWYHFIO &E]HNERSZ 'SRHYGXMZMX] ERH 4IVQMXXMZMX] SJ 2MGOIP2ERSTEVXMGPI'SRXEMRMRK Ceramic Materials in the Vicinity of Percolation Threshold.// J. Am. Ceram. Soc.2006.V.89.№ TT– ?A 9QEVFIO %FHYVEOLQERSZ =E]VE 6EOLMQSZE ERH +EJYVNER 1YOLEQIHSZ -WEEG &EPFIVK 8IQTIVEXYVI (ITIRHIRGI SJ XLI 'SRHYGXMZMX] MR 'IVEQMG 1EXIVMEPW 'SRXEMRMRK 2MGOIP Nanoparticles.//. J. Am. Ceram. Soc.2009. V. 92.№.3. рр. 661– ?A9%FHYVEOLQERSZ*8&SMXQYVEXSZ+-1YOLEQIHSZ%7*MSRSZERH+=Y=YVOSZ )PIGXVMG 'SRHYGXMZMX] SJ 'SQTSWMXI 1EXIVMEPW &EWIH SR 4LIR]PSR 1EXVMGIW ERH 2MGOIP 4EVXMGPIW.SYVREPSJ'SQQYRMGEXMSRW8IGLRSPSK]ERH)PIGXVSRMGW:SP2STT – ?A9%FHYVEOLQERSZ*8&SMQYVEXSZ+-1YOLEQIHSZ%7*MSRSZERH+=Y=YVOSZ 303

Menejment va zamonaviy texnologiyalar universiteti 2023-yil 14-dekabr 8LI 4IVQMXXMZMX] SJ 4LIR]PSRIC&EWIH 'SQTSWMXIW [MXL 2MGOIP 4EVXMGPIW .SYVREP SJ 'SQQYRMGEXMSRW8IGLRSPSK]ERH)PIGXVSRMGW:SP2STT– ?A Юрков Г.Ю., Губин С.П., Панкратов Д.А. и др. Наночастицы оксида железа (III) в матрице полиэтилена //Неорган. материалы. 2002. Т. 38. № 2. С. 186. ?A 2% 8EVEXERSZ +=Y =YVOSZ %7 *MSRSZ *8 &S]QYVEXSZ 9 %FHYVEOLQERSZ -( /SWSFYHWO] 0IEHGSRXEMRRK GSQTSWMXI RERSQEXIVMEPW FEWIH SR TSP]IXL]PIRI.SYVREP SJ Chemistry and Chemical Engineering 2010. Vol 52. №. 7. pp. 72 [8] В.Я. Демиховский, Г.А. Вугальтер. Физика квантовқх низкоразмернқх структура. М.: Логос.2000. 304

Menejment va zamonaviy texnologiyalar universiteti СВОЙСТВА ГЕССИАНОВ shm − 2023-yil 14-dekabr ФУНКЦИЙ Курбонбоев Сукрот, Каландарова ДилдоваСайфуллаева Зухро Ўзбекистон Миллий Университети ўқитувчиси; WYUVSXUYVFSRFS]IZ$QEMPVY Урганч Давлат Университети таянч докторанти;HMPHSVEUEPERHEVSZE$KQEMPGSQ Ўзбекистон Миллий Университети магистратура талабаси; WEVZEVEEPMQSZE$KQEMPGSQ Аннотация В этой работе изучаются свойства, связанные с гессианами shm − m − функции из класса субгармонических функций. Приведена связь между коэффициентами многочленов, построенных с помощью гессианов. shm − Ключевие слова: Теорема Ролля, класс функций, гессианы, оператор МонжаАмпера, Эрмитова матрица. Введение shm − m − Класс субгармонических функций строится на основе psh плюрисубгармонических ( ) функций и связана с оператором МонжаАмпера − − 4i стандартные обозначения. Эта теория построена благодаря исследованиям и многочисленным фундаментальным работам Э.Бедфорда, А. Тейлора, Й. Сичака, А Садуллаева и др. (см.например, [1A Корни полиномов. Пусть задан некоторый полином n − ой степени Pn ( x= ) an x n + an−1 x n−1 + ... + a0 . Предположим, что все n корни действительны: x1 x2 ... xn . d ( dd u ) , где d = + = c n c Pn ( x = ) an ( x − x1 ) ( x − x2 ) ... ( x − xn ) . Q ( x ) := Pn ' ( x ) Q ( x) . Полином n −1 имеет Рассмотрим производное этого полинома: n −1 x ; x x x j +1 : x j y* x j +1 ровно один корень y * на каждом отрезке j j +1 для которых j P ( x) Кроме этого, все кратные корни полинома n одновременно являются корнями Q ( x) x= x= x4 3 , но кратности уменьшаются на один, т.е. для 2 имеем полинома n −1 x y x y x . = y* y= x 2 * 3 ** 4 ** 2 и их можно записать в виде: корней Учитывая вышесказанные, имеем следующее x ; x x x j +1 x y* x j +1 корень y * (здесь j Утверждение 1.Всегменте j j +1 для j не может быт кратным Итак, мы получим следующую алгебраическую теорему P ( x) x x2 ... xn , Теорема 1.Если полином n имеет n действительных корней 1 Q ( x) y y2 ... yn −1 , имеет n − 1 действительных корней 1 тогда его производная n −1 причем x1 y1 x2 y2 ... yn −1 xn . 305

Menejment va zamonaviy texnologiyalar universiteti 2023-yil 14-dekabr Теперь, исследуем знаки коэффициентов полиномов. m Утверждение 2. Для A, B : A B 0 , полином Ax + B имеет, как минимум, 2 недействительных корня для m 3 Утверждение 3. Если для n m 3 и A, B,..., D, E Pn ( x )= Ax n + Bx n −1 + ... + Dx m + E : D 0, все корни полинома действительны, то E = 0. Возьмем полином следующего вида, который имеет n действительных корней Pn ( x )= x n − c1 x n −1 + c2 x n − 2 + ... + ( −1) cn . n c2 0 c1 = 0, c2 = 0. то или Утверждение 4. Если В следующей теореме изучаем взаимосвязь между коэффициентов в более общем случае. c 0, c2 0, ..., c j −1 0 c =0 c 0 Теорема 2.Если 1 и j для некоторого 1 j n, то либо j +1 либо c j +1 = 0. Гессианы. shm функции связаны с операторами ( dd u ) c m n−m , 1 m n, 2 n = dd z − где стандартная форма объема в комплексном пространстве . Так как c n −1 n dd u = u , то оператор (2) при m = 1 дает оператор Лапласа, а при m= n − c оператор МонжаАмпера. Оператор (1) называется комплексным оператором в гессианах, ибо нетрудно вычислить ( dd u ) c = H m (u ) где 1 j1 ... jm n j ... j − 1 m ( ) m n−m = m !( n − m )! H m ( u ) n гессиан вектора собственных значений = ( 1 , 2 ,..., n ) u матрицы j ,k Комплексный оператор в гессианах (2) успешно рассматривались в работах [48]. В их shm функций в классе интегрируемых функций исследованиях определен класс 1 Lloc ( D ) sh . Теория потенциала в классе m функцийпостроена в работе [9]. u C2 ( D), D n , Если дважды гладкая функция, то дифференциал второго порядка 2u i c . u j ,k = = dd u u dz j dzk z j zk 2 j ,k j ,k является эрмитово квадратичной формой, где Следовательно, после подходящего унитарного преобразования координат она i c dd u = 1dz1 dz1 + ... + n dzn dzn , ,..., n − 2 приводится к диагональной форме где 1 собственные значения эрмитовой матрицы Ясно, что ( dd u ) c k = H k (u ) где n−k = k !( n − k )! H k ( u ) n , 1 j1 ... jk n j ... j − 1 k k = 1,.., n, ( u ) . j ,k = (u ) гессиан размерности k вектора 306 n .

Menejment va zamonaviy texnologiyalar universiteti 2023-yil 14-dekabr u C2 ( D), D n− Определение 2.1 (см. [9]). Дважды гладкая функция где u shm ( D ) , sh некоторая область, называется m функцией в D, если дифференциальные формы положительны, т.е. ( dd u ) c k n−k 0 = k 1, 2,..., n − m + 1. Если неравенства (4) переформулировать через гессианов как в (3), условия m − sh − субгармоничности ( m ) можно задать следующим образом: H1 ( u ) 0, H 2 ( u ) 0,..., H n − m+1 ( u ) 0. Теперь построим полином, который используется для изучения многих свойств u shm ( D ) C 2 ( D ) : гессианов некоторой функции Pn ( x ) = ( x − 1 ) ( x − 2 ) ... ( x − n ) = n n = x − H1 ( u ) x n −1 + H 2 ( u ) x n −2 + ... + ( −1) H n ( u ) . Этот полином удовлетворяет условию (1). §. Свойства гессианов: H ( u ) = 0, H (u ) 0 H ( u ) = 0. H (u ) = 0 1) Если 1 то 2 или 2 Причем, в случае 2 получим H1 ( u )= H 2 ( u )= ...= H n ( u )= 0 = 2= ...= n= 0. или то же самое 1 H1 ( u ) 0, H 2 ( u ) 0,..., H j −1 ( u ) 0 H j (u ) = 0 и для некоторого 1 j n, то 2) Если H j +1 ( u ) 0 H j +1 ( u ) = 0. H j +1 ( u ) = 0 или Причем, в случае , получим H j ( u )= H j +1 ( u )= ...= H n ( u )= 0. H1 ( u ) 0, H 2 ( u ) 0,..., H j −1 ( u ) 0 H j (u ) 0 и для некоторой 1 j n, тогда 3) Если данные гессианы строго положительны, т.е. H1 ( u ) 0, H 2 ( u ) 0,..., H j ( u ) 0. Литературы. ?A&IHJSVH)8E]PSV&%8LI(MVMGLPIXTVSFPIQJSVEGSQTPI\1SRKI%QTʢVIIUYEXMSR -RZIRX1EXLTT– n ?A7MGMEO.)\XVIQEPTPYVMWYFLEVQSRMGJYRGXMSRWMR . %RR4SP1EXL:SPYQI TT [3] Садуллаев А. Теория плюрипотенциала. Применения // Saarbrucken. Deutschland. Германия, 2012. ?A&PSGOM>;IEOWSPYXMSRWXSXLIGSQTPI\,IWWMERIUYEXMSR%RR-RWX*SYVMIV+VIRSFPI :TT ?A (MRI[ 7 /SPSH^MIN 7 % TVMSVM IWXMQEXIW JSV GSQTPI\ ,IWWMER IUYEXMSRW %REP]WMW 4() TT– ?A0M7=3RXLI(MVMGLPIXTVSFPIQWJSVW]QQIXVMGJYRGXMSRIUYEXMSRWSJXLIIMKIRZEPYIWSJ XLIGSQTPI\,IWWMER%WMER.1EXL TT– n . .SYVREP SJ ?A 0Y , % ZEVMEXMSREP %TTVSEGL XS GSQTPI\ ,IWWMER IUYEXMSRW MR 1EXLIQEXMGEP%REP]WMWERH%TTPMGEXMSRW TT– ?A/YVFSRFS]IZ77XVSRKP] m − WYFLEVQSRMGJYRGXMSRWSRGSQTPI\QERMJSPHW&YPPIXMRSJ 307

Menejment va zamonaviy texnologiyalar universiteti 2023-yil 14-dekabr 299^1EXLIQEXMGWERH2EXYVEP7GMIRGIW:SP-WWTT– ?A7EHYPPEIZ%%FHYPPEIZ&4SXIRXMEPXLISV]MRXLIGPEWWSJ m − WYFLEVQSRMGJYRGXMSRW 8VYH]1EX-RWX7XIOPSZE:TT– 308

Menejment va zamonaviy texnologiyalar universiteti 2023-yil 14-dekabr ИССИҚЛИК ТАРҚАЛИШ ТЕНГЛАМАСИНИНГ СИММЕТРИЯ ГРУППАСИ СОНЛИ МОДЕЛЛАШТИРИШ НармановОтабек Абдигаппарович., Бегимов Ойбек Мамарасулович Муҳаммад алХоразмий номидаги Тошкент ахборот технологиялари университети SXEFIOREVQERSZ$QEMPVY Аннотация: Иссиқлик ўтказиш коэффициенти чизиқли бўлмаган квазичизиқли иссиқлик тенгламаси бошқа кўплаб жараёнларни ҳам тавсифлайди, масалан, ғовакли муҳитда газ ҳаракати, диффузия, қўшимча иссиқлик манбаи мавжуд эмас тахмини остида иссиқлик узатиш каби жараёнларни ишлатилади. Иссиқлик ўтказувчанлиги коэффициенти ҳароратнинг чизиқли бўлмаган функцияси бўлган ҳол илмий тадқиқотларда катта қизиқиш уйғотмоқда. Калит сўзлар:Ли алгебраси, Ли группаси, ясовчи, группа. Симметрия. Тадқиқотлар шуни кўрсатадики, иссиқликнинг ўтказувчанлиги жуда кенг параметрлар диапазонида ҳароратнинг даражали функцияси билан тавсифланиши мумкин. Ўлчовлар назариясини қўллаш орқали олинган ўзига хос ечимлар автомодел ечимлар деб аталади. Умумийроқ ёндашув шуни кўрсатадики, автомодел ечимлар бу инвариант ечимлар деб аталадиган ечимларнинг хусусий ҳоли бўлиб, уларнинг кўриниши дифференциал тенгламалар гуруҳ хусусиятлари назарияси алгоритмлари ёрдамида аниқланиши мумкин. Барча инвариант ечимларнинг умумий хусусияти шундан иборатки, бир ўлчовли ҳолда хусусий ҳосилали дифференциал тенгламалар системаси учун қўйилган масалани оддий дифференциал тенгламалар учун қўйилган масалага олиб келиш мумкин. Ҳозирги кунда дунёда замонавий математиканинг долзарб муаммоларидан бири бу ғовакли муҳитда иссиқлик ва бошқа газларнинг тарқалиши муаммосини ўрганишдир. Бу жараёнларни тавсифловчи реал физик жараёнларни ўз ичига олган аниқ ечимларни ечимларни ўрганиш ва топиш жуда муҳимдир[1A Мамлакатимизда математиканинг долзарб муаммоларига, хусусан, табиий жараёнларда илмий ва амалий қўлланиладиган математик моделлаштириш масалаларига алоҳида эътибор берилмоқда. Шу жумладан, физик ва химик жараёнларни математик моделлаштиришда “Математик физика, амалий математика ва математик моделлаштириш, Дискрет тузилмалари” фанларининг устувор йўналишлари бўйича юқори рейтингга эга бўлган мамлакатлар даражасида илмий изланишларни кучайтириш бу соҳадаги фаннинг асосий вазифалари ва йўналишлари этиб белгиланди ut = (k(u )u x ) x k (u ) функция учун Бу тенглама учун ихтиёрий дифференциалланувчи қуйидагитеорема исботланган. Теорема1 (1) тенглама учун симметрия группасининг Ли алгебраси ҳар қандай k (u ) функциянинг ясовчилари 309

Menejment va zamonaviy texnologiyalar universiteti 2023-yil 14-dekabr X2 = X 3 = 2t + x t x t x вектор майдонлардан иборат уч ўлчамли алгебра бўлади. X1 = Биринчи вектор майдон X1 = t ҳосил қилган алмаштиришлар группаси ( t , x, u ) → ( t + s, x, u ) алмаштиришлардан иборат,бу ерда s R Иккинчи вектор майдон X2 = x ҳосил қилган алмаштиришлар группаси ( t , x, u ) → ( t , x + s, u ) алмаштиришлардан иборат,бу ерда s R Учинчи вектор = X 3 2t +x t x ҳосил қилган алмаштиришлар группаси ( t , x, u ) → ( e2 S t , e S x, u ) алмаштиришлардан иборат,бу ерда s R Шунинг агар u = u (t, x ) функция (1) тенглама ечими бўлса, у ҳолда = v u ( t − s, x= ) v u ( t , x − s ) v = u ( e−2 S t , e− S x ) функциялар ҳам (1) тенглама ечими бўлади[4] "VIWXEVX "[MXL 4()XSSPW [MXL 3()8SSPW [MXL TPSXW "4()!HMJJ Y X\ X !HMJJ Y X\ B HMJJ Y X\ \ \ Y X\ B "-&'!_Y \ !I\T \B Y X !I\T XB Y X !I\T XB a "WQSH!THWSPZI 4()-&'X]TI!RYQIVMGVERKI!QIXLSH! *SV[EVH8MQI'IRXIVIH7TEGIXMQI!XXMQIWXIT! *VSQXLMWWSPYXMSREWIVMIWSJTPSXWEXHMJJIVIRXXMQIWGERFIKIRIVEXIHERHHMWTPE]IHMRXLI WEQITPSX "T!WQSHTPSX X!GSPSYV!VIH T!WQSHTPSX X!GSPSYV!KVIIR T!WQSHTPSX X!GSPSYV!FPYI T!WQSHTPSX X!GSPSYV!FPEGO T!WQSHTPSX X!GSPSYV!FVS[R 310

Menejment va zamonaviy texnologiyalar universiteti 2023-yil 14-dekabr TPSXW?HMWTPE]A _TTTTTa XMXPI!DWYVJEGISJY \X EXX!D расм. "WQSHZEPYI X!SYXTYX!PMWXTVSGIHYVI "YZEP!VLW ST "JWSPZI YZEP \ !\! "WQSHTPSXH X!\!E\IW!FS\IH " Адабиётлар. расм. ?A%VMTSZ111IXLSHWSJIXEPSRIUYEXMSRWJSVEWSPZMRKSJRSRPMRIEVFSYRHEV]ZEPYI TVSFPIQW8EWLOIRX*ERTEKIW 6YWWMER ?A &VEXYW %72SZSNMPSZ %' 4PEXSRSZ %4(]REQMGEP W]WXIQW ERH QSHIPW MR FMSPSK](VEJXTEKIW 6YWWMER ?A 3PZIV 4. %TTPMGEXMSRW SJ 0MI KVSYT XS HMJJIVIRXMEP IUYEXMSRW WIGSRH IHMXMSR 7TVMRKIV:IVPEK2I[=SVO ?A3%2EVQERSZ0MIEPKIFVESJMRJMRMXIWMQEPKIRIVEXSVWSJXLIW]QQIXV]KVSYTSJXLILIEX IUYEXMSR .SYVREP SJ %TTPMIH 1EXLIQEXMGW ERH 4L]WMGW TT LXXTWHSMSVKNEQT +.-*! 311

Menejment va zamonaviy texnologiyalar universiteti 2023-yil 14-dekabr *->-/%(%670%6-(%>%132%:-=8)<2303+-=%0%6(%2 *3=(%0%2-&O‘59:',-0%6&-0-10%6-2-&%,30%7, %\QIHSZ=EOYF /EVMQSZ<EWER 91*8*YRHEQIRXEPJERPEVOEJIHVEWMOEXXEo‘UMXYZGLM]EOYF$KQEMPGSQ 1YLEQQEHEP<SVE^QM]RSQMHEKM8%89OEXXEo‘UMXYZGLMOEVMQSZ\$KQEMPGSQ %RRSXEXWM]E 9WLFY MWLHE *M^MOE HEVWPEVMHE ^EQSREZM] TPEXJSVQEPEVHER JS]HEPERKER LSPHE XEPEFEPEV XSQSRMHER IKEPPERKER FMPMQPEV HEVENEWMRM FELSPEWL MQOSRM]EXPEVM SGLMF berilgan. Ta’lim jarayonida innovatsion texnologiyalardan foydalanish afzalliklari tushintirib o‘XMPKER 4PMGOIVW 'PEWW1EVOIV )HFEWI *PI\M5YM^ 5YIWX&EWI 7TIIH)\EQ HEWXYVPEVMHER JS]HEPERMWLRMRK QYLMQ NMLEXPEVM OIPXMVMF o‘XMPKER /o‘T WSRPM XEPEFEPEVRM FMV ZEUXRMRK o‘^MHE UMWUE QYHHEXHE FMPMQMRM XI^OSV FELSPEWL ZE HEVWPEVHE ^EQSREZM] TIHEKSKMO XI\RSPSKM]EPEVHERJS]HEPERMWLLEUMHEWo‘^]YVMXMPKER /EPMX Wo‘^PEV TIHEKSKMO XI\RSPSKM]E 4PMGOIVW 'PEWW1EVOIV )HFEWI *PI\M5YM^ 5YIWX&EWI7TIIH)\EQ]ERKMXI\RSPSKM]EKPSFEPXEVQSUREXMNE56OSH /MVMWL &YKYRKM OYRHE JER ZE XI\RMOE ZE MRXIVRIX VMZSNPERMWLM NEQM]EXRMRK E\FSVSXPEWLMWLMKESPMFOIPQSUHE%\FSVSXXI\RSPSKM]EPEVMLE]SXMQM^RMRKXYVPMNEFLEPEVMKEOIRK ZE NEHEP OMVMF FSVMWLM E\FSVSXPEWLKER NEQM]EXRM WLEOPPERXMVMWLKE ^EQMR ]EVEXQSUHE %\FSVSXPEWLKERNEQM]EXRMRKXEWLOMPM]XI\RSPSKMOEWSWMRMKPSFEPXEVQSUMRXIVRIXXEWLOMPIXEHM %\FSVSXPEWLKER NEQM]EX XEPEFPEVMKE Xo‘PMU NEZSF FIVEHMKER ^EQSRSZM] o‘UMXMWL XI\RSPSKM]EPEVMHER Xo‘PMU JS]HEPERKER LSPHE HEVW o‘tish, bugungi kundagi oliy ta’limda yetuk QYXE\EWMWPEVXE]]SVPEWLHEQYLYQo‘VMRIKEPPE]HM %\FSVSX kommunikatsion texnologiyalarini ta’lim jarayoniga qo‘PPEWL LS^MVKM ZEUXHEKM IRK HSP^EVF QYEQQSPEVMHER FMVM Fo‘PMF OIPQSUHE WEFEFM LEV FMV WSLEHE o‘VKERMWL M^PERMWL ZE XENVMFE SVXXMVMWL YGLYR XYVPM YWYPPEVHER JS]HEPERMWL OIVEO Fo‘ladi. Shuning uchun bog‘chadan XSVXMF XS ]YUSVM WEZM]EHEKM MWLPEVRM o‘VKERMWLHE LS^MV ]ERKM E\FSVSX OSQQYRMOEXWMSR XI\RSPSKM]EPEVMHERJS]HEPERMWLQEUWEHKEQYZSJMUHMV 1EXIVMEPPEVZEYWYPPEV/o‘TWSRPMZEOIRKUEQVSZPMXEPEFEPEVRMFMVZEUXRMRKo‘^MHEOEXXE o‘quv auditoriyalarda (ma’ruza va amaliy mashg‘ulotlarida) bir zumda davomat olib borish, XEPEFEPEVRMRK QEZ^YRM o‘^PEWLXMVMWL HEVENEWMRM XIOWLMVMWLRM EQEPKE SWLMVMWL YGLYR 4PMGOIVW 'PEWW1EVOIV )HFEWI *PI\M5YM^ 5YIWX&EWI 7TIIH)\EQ HEWXYVMHER JS]HEPERMWL QYLMQ samaradorlik beradi. Ta’lim sohasida yangi bo‘PKER YWLFY HEWXYVPEV HYR]SRMRK Oo‘TKMRE QEQPEOEXPEVMHE SQQEZM]PEWLMF FSVQSUHE 1MWSP YGLYR 4PMGOIVW HEWXYVMRM MWLPEXMWLHE JEUEX TVSJIWWSV o‘UMXYZGLMHE QSFMP XIPIJSR WQEVXJSR ]SOM TPERWLIX Fo‘PMWLM XEPEF UMPMREHM XEPEFEPEVHER \IGL UEREUERKM QSFMP XIPIJSRPEV ]SOM QE\WYW UYVMPQEPEV XEPEF ]IXMPQE]HM 4PMGOIVW dasturi yordamida bir vaqtning o‘zida, qisqa soniyalarda butun boshli auditoriyani so‘rovdan o‘tkazish imkoniyatini beradi. Shu jumladan ularni o‘zlashtirishini baholash hamda WXEXMWXMOEWMRM GLMUEVMWL MQOSRMRM FIVEHM 9WLFY VIWYVW 56 – kodlarni qo‘llash yo‘li orqali ishlaydi. Buning uchun o‘qituvchiga internetga ulangan kompyuter va smartfon, proyektor va maxsus javob variantlarini o‘zida jamlagan QR kodli TPMGOIVW OEVXEPEVM OIVEO Fo‘PEHM 9WLFY VIWYVWFMPERMWLPEWLYGLYRTPMGOIVWGSQWE]XKEOMVMWLOIVEOZEVo‘]LEXHERo‘XMWLOIVEOFo‘PEHM 7LYRHER Wo‘RK EYHMXSVM]E XEPEFEPEV YGLYR KVYTTE SGLEQM^ ZE XEPEFEPEVMRM MWQ JEQMPM]EWMRM OMVMXMF GLMUMWLMQM^ OIVEO Fo‘PEHM (EVW NEVE]SRMHE SPHMRHER XE]]SVPERKER 56 OSHPEVRM XEPEFEPEVKEXEVUEXMPEHM8EPEFEPEVo‘^NEZSFOEVXSGLOEPEVMHERXEXYVPM\MPNEZSFPEVRMOo‘VWEXMWLM QYQOMR 312

Menejment va zamonaviy texnologiyalar universiteti 2023-yil 14-dekabr VEWQ56OSHPMOEVXEPEV -PSZEHEXEPEFEPEVYGLYRWLEOPPERXMVMPKERKVYTTEPEVHERXEPEFEPEVRMRKWEZSPPEVKEUERHE] NEZSFFIVKERMRMFMPMFSPMWLMQM^QYQOMRFo‘PEHM4PMGOIVWNEZSFPEVHMEKVEQQEWMRMXY^MFGLMUEHM ZE XEPEFEPEVRMRK UERGLE UMWQM o‘VKERMPE]SXKER QEXIVMEPRM XYWLYRKERPMKMRM UERGLE UMWQM Uo‘WLMQGLE]SVHEQOIVEOPMKMRMXI^HEFMPMWLMQOSRM]EXMRMFIVEHM,EVFMVOEVXERMRKFYVGLEKMHE WM^ OEVXERMRK VEUEQMRM Oo‘VMWLMRKM^ QYQOMR ,EV FMV OEVXERMRK SVUEWMKE XEPEFEPEVRMRK MWQMRM ]S^MF Uo‘]MWLMRKM^ XEPEFEPEV SVEWMHE OEVXERMRK EPQEWLMF OIXMWLM QYEQQSWMRM LEP UMPMWLKE MQOSRFIVEHM&YHEVWKEXE]]SVPERMWLZEUXMRMXINE]HM:ERMLS]EXXIWXPEVRMXY^MWLKEOMVMWLEQM^ %WSWM] QIR]YHER OYXYF\SRE LEZSPEWMKE OMVEQM^ 4E]HS Fo‘PKER Vo‘]LEXHER ]ERKM TETOE LEZSPEWMRM XERPE]QM^ 3]REHE TETOERMRK RSQMRM ]S^EQM^ FY JERRMRK RSQM Fo‘PMWLM LEQ QYQOMR /I]MRKM UEHEQHE ]EVEXMPKER TETOEKE XIWXPEVRM WMWXIQEPEWLXMVEHMKER OYVWRMRK Fo‘PMQMRM]EVEXMWLQYQOMR7M^Fo‘WLTETOERMSGLKERMRKM^HEWM^KE]ERKMWEZSPRMXY^MWLMRKM^RM XEOPMJIXEHM 4PMGOIVWdasturi bilan ishlaganda quyidagi jihatlarga e’tibor qaratish kerak: − kamera qat’iy vertikal holatda bo‘PMWLMOIVEO − OEVXEPEV FMPER MWLPEKERHE XEPEFEPEVKE Xo‘g‘ri javobni ko‘VWEXMWL YGLYR Xo‘g‘ri ZEVMERXRM]YUSVMKEOo‘VWEXMWLOIVEOPMKMRMXYWLYRXMVMWLOIVEO − XEPEFEPEV OEVXSGLOEPEVRM 56 OSHRM FIVOMXQEKER LSPHE YWLPEWLPEVMRM XEPEF UMPMWL OIVEO VEWQ4PMGOIVWXIWXMRMRKYQYQM]Oo‘VMRMWLM %OWEVM]EX LSPPEVHE FY YWYPHEKM RE^SVEX XIWXPEVM YGLYR FYRHE] XM^MQRM Uo‘PPEWL ]E\WLM REXMNE FIVQEWPMKM QYQOMR WEFEFM XEPEFEPEV FMVFMVPEVMRMRK NEZSFPEVMKE UEVEWLKE LEVEOEX UMPEHMPEV &MVSU FY EYHMXSVM]EHER NYHE XI^ NEZSF SPMWL YGLYR NYHE ]E\WLM ZSWMXEHMV -PSZEHER 313

Menejment va zamonaviy texnologiyalar universiteti 2023-yil 14-dekabr JS]HEPERMWL SVUEPM EYHMXSVM]EHEKM XEPEFEPEVRMRK FIVMPKER WEZSPKE NYHE XI^ NEZSFPEVMRM SPMWL QYQOMR <YPSWE /o‘TKMRE o‘qituvchilar ta’lim jarayoniga yangi texnologiyani qo‘PPEWLKE UEVWLM GLMUQEWEHE YPEVHER OIRK JS]HEPERMWLRM YRGLEPMO LEQ \YWL Oo‘VQE]HMPEV 'LYROM ]ERKM XI\RSPSKM]EPEV YGLYR NYHE Oo‘T XI\RMO ZSWMXEPEV ^EQSRSZM] FMPMQPEV XEPEF UMPEHM HIF hisoblaydi. “Plickers” nafaqat ochiq kodli dastur shu bilan birga TPMGOIVW o‘UMXYZGLM ZE talabalardan ortiqcha jihozlar talab qilmaydi. Bu esa “TPMGOIVW” dan foydalanishning afzalliklarini yanada oshiradi. Plickers esa ta’limning sifat va WEQEVEHSVPMKMRM SWLMVMWLKE xizmat qiladi. Ta’lim jarayoniga zamonoviy texnologiyalarni qo‘llash orqali ta’limning sifat va samaradorligini oshirishimiz mumkin. Shunday ekan ta’lim jarayoniga zamonoviy XI\RSPSKM]EPEVRM Uo‘llash orqali ta’limning sifat va samaradorligini oshirishimiz mumkin. *YRHEQIRXEPJM^MORE^EVM]EPEVKE EWSWERJM^MOEOYVWMQEXIVMEPPEVMXo‘g‘ri va yagona sistemaga OIPXMVMPKER &Y IWE JER SPEQMHEKM FEVGLE MPQM] ]o‘nalishlarning g‘oyalari asosidagi ilmiy FMPMQPEV o‘UYZGLMPEVRMRK MPQM] HYR]SUEVEWLMRM WLEOPPERXMVMWL YGLYR EWSW Fo‘PEHM HIKER \YPSWEKESPMFOIPEHM %HEFM]SXPEV [1] Останний Д.О., Михайлов Е.И. Технология интерактивного тестирования Plickers. Юный ученый. №1. С. 33 [2] Е.И. Бутиков, А.С. Кондратьев. Физика для углубленного изучения. Том №1 М.: Физматлит. 2004. [3] В.П. Демков, О.Н. Третьякова. Физика. Теория. Методика. Задачи. М.: Высшая школа, 2001. 314

Menejment va zamonaviy texnologiyalar universiteti 2023-yil 14-dekabr /O‘P QIYMATLI AKSLANTIRISH GRAFIGINING BOG‘LAMLILIGI (MPRS^E%QMVSZE 91*8*YRHEQIRXEPJERPEVOEJIHVEWMEWWMWXIRXMHMPRS^EQMVSZE$KQEMPGSQ %RRSXEXWM]E<:-- EWMVRMRK]MPPEVMHE -2]YXSR +0I]FRMW FMVbiriga bog‘liq bo‘PQEKER LSPHELSWMPEXYWLYRGLEWMRMJERKEOMVMFOIPKERHEROI]MRHMJJIVIRWMEPZEMRXIKVEPLMWSFKEEWSW WSPMRHM 7LY FMPER XEFMM] ZE ERMU JERPEVRMRK OI]MRKM ]MPPEVHEKM VMZSNMRM XEQMRPEKER QEXIQEXMO ETTEVEX ]EVEXMPHM ,SWMPE SPM] QEXIQEXMOERMRK IRK QYLMQ XYWLYRGLEWM Fo‘PMF YWM^ LS^MVKM ^EQSRXEFMM]JERPEVMRMXEWEZZYVUMPMFFo‘PQE]HM/PEWWMOQEXIQEXMOEREPM^RMRKEWSWM]o‘VKERMWL SF]IOXM WMPPMU HMJJIVIRWMEPPERYZGLM Fo‘PKER JYROWM]EPEV LMWSFPEREHM =EUMRHEZVPEVKEGLE TE]HS Fo‘PE]SXKER EQEPM] QEWEPEPEV WMPPMU QEXIQEXMO QSHIPPEV ]SVHEQMHE ]IXEVPM HEVENEHE FE]SR UMPMRKERZEo‘VKERMPKER7LYFMPERFMVKEQEXIQEXMOEZEYRMRKXEHFMUPEVMHEHMJJIVIRWMEPPERYZGLM Fo‘PQEKER RSWMPPMU JYROWM]EPEVXEFMM]VEZMWLHEYGLVEFXYVEHMPIOMRYPEVUSMHE FY]IVHEWMPPMU JYROWM]EPEV RMRKMROSVMRMMJSHEWMWMJEXMHEUEVEPEHM /EPMXWo‘^PEVakslantirish, xos sonlar, bog‘lamlilik, grafik, matematik analiz. /MVMWLHozirga kelib ko‘plab amaliy masalalarni yechish nosilliq funksiyalarni kengroq, chuqurroq o‘rganishga olib kelayapti. Nosilliq EREPM^ ^EQSREZM] QEXIQEXMOERMRK ]IXEVPMGLE shakllangan va jadal rivojlanayotgan bo‘limlaridan hisoblanadi. Nosilliq analiz atamasidan ko‘rinadiki, uning tadqiqot obyekti differensiallanuvchi bo‘lmagan funksiyalar hisoblanadi. Keyingi o‘n ]MPPMOPEVPEVRSWMPPMUEREPM^RMRKRE^EVM]EWMYWYPPEVMZEXEHFMUPEVMRMRKNEHEPVMZSNPERMWL yillari bo‘ldi. Bunga uchta omil sabab bo‘ldi: zamonaviy fan, texnika iqtisodiyotning talab ILXM]SNM ]E\WLM HEVENEHE ]EVEXMPKER RE^EVM] ZE WSRPM YWYPPEVRMRK FSVPMKMLS^MVKM ^EQSR LMWSFPEWL XI\RMOEWMRMRK MQOSRM]EXPEVM -OOMRGLM XSQSRHER LSWMPE WSRPEVM (MRM WSRPEVM ZE ularning to‘plamini o‘rganish jarayonida ko‘p qiymatli akslantirishlar paydo bo‘ladi. Ko‘p UM]QEXPM EOWPERXMVMWLPEV QEXIQEXMOE FE YRKE ]EUMR WSLEPEV RE^EVM] JM^MOE MUXMWSHM]SX masalalarida ko‘plab uchraydi. Matematikaning mazkur yo‘nalishlarida Dini U.Menshov )78VS\MQGLYO../PEVO*(IQ]ESZ:*PEVRMRKMPQM]REXMNEPEVMRMUE]HIXMWLQYQOMR n =YUSVMHEKMPEVRM MRSFEXKE SPKER LSPHE o‘lchovli fazoda funksiya va uning grafigini o‘rganamiz. n WSLEHE %]XE]PMO D sohaning biror nuqtasi bo‘lsin. ( ) ( ) f ( x ) = f x1,..., xn x = x1, x2 ,..., xn funksiya berilgan bo‘lib, ( f ( x) x JYROWM]ERMRK x D RYUXEHEKM i o‘zgaruvchi bo‘yicha xususiy h LSWMPEWSRPEVMHI]MPEHMEKEVWLYRHE] n GLIOWM^OMGLMOOIXQEketlik mavjud bo‘lsaki, ta’rif. % WSRM lim n→ ( ) ( %]XE]PMO FM^KE D x ) f x1, x2 ,..., xi −1, xi + hn , xi +1,..., xn − f x1, x2 ,..., xn =d hn n WSLEHE Y^PYOWM^ f :D→ bo‘lsa. funksiya berilgan bo‘lsin.Har bir ( x1, x2 ,..., xn ) D RYUXEZEM\XM]SVM] 0 WSRYGLYRUY]MHEKM f ( x ,..., x , x + h, x ,..., xn ) − f ( x , x ,..., xn ) i 1 i −1 i i +1 1 2 M ( f ; x) ,0 h h 315

Menejment va zamonaviy texnologiyalar universiteti 2023-yil 14-dekabr i M ( f , x ) to‘plamni qaraymiz.Bu to‘plamlarning yopig‘i i Mx ( f ) = PEVRMRK FEVGLE 0 lar bo‘yicha i M ( f , x ) i (1) ko‘rinishda belgilaymiz. Ko‘rsatish qiyin emaski M x ( f ) x to‘plam f funksiyaning x nuqtadagi i o‘zgaruvchisi bo‘yicha xususiy hosila sonlari bilan YWXQEYWXXYWLEHM OIWMWLQEWMRM 0 i− )WPEXQE M x ( f ) to‘plam ikkita komponenta M x ( f ) – o‘ng va M x ( f ) – GLET \YWYWM] LSWMPE sonlari to‘plamining birlashmasidan iborat, xususiy hosila sonlari to‘plamini qurishimizga i i+ i f : x → Mx ( f ) Mi ( f ) x moslik hosil bo‘ladi. Bir o‘zgaruvchili holdagi singari to‘plam ko‘ra chekli,yoki cheksiz sondagi elementlardan, yoki kontinum to‘plam bo‘lishi mumkin. Shuning uchun mazkur (1) akslantirish umumiy holda ko‘p qiymatli akslantirish bo‘ladi. Bunday akslantirishning xossalarini sanab o‘tamiz. XISVIQE%]XE]PMO f C ( D), D n i f ( x) : x → M x ( f ) bo‘lsin.U holda ko‘p qiymatli akslantirish D sohada ikkinchi kategoriyali yarim uzluksiz nuqtalar to‘plamiga ega bo‘ladi. 1 p %]XE]PMO D JE^SHEKM WSLE f : D → LEUMUM] Y^PYOWM^ JYROWM]E YGLYR x D ( ) ( xi , y ) va to‘plamlarni ko‘rib chiqamiz. = x = x1,..., xi ,..., x p RYUXERMUY]MHEKMGLEFIPKMPE]QM^ i Mx = M f ; xi 0 &Y]IVHE ( ) 1 = + − M f ; x f x x , y f x , y , 0 x i i i i xi ( 2EXMNE XISVIQE%]XE]PMO (i ) ( i )+ Mx ( f ) = Mx ( f ) KVEJMKM W = Ф ) ( ( ) p f C ( D), D ( i )− Mx ( f ) )) ( bo‘lsin. Agar, to‘plam bog‘lamli bo‘lsa, u holda +1 ( x, ) , x D, M xi ( f ) D C p= p <YPSWE 1 har bir x D RYUXEHE (i ) Фf : x → M Ь x (f) EOWPERXMVMWL da bog‘lamli bo‘ladi. df %KEVLEVUERHE] x D PEVYGLYR dxn chekli hosila mavjud bo‘lsa df dxn = W ( x, ) : x D, to‘plam bog‘lamli bo‘ladi. %HEFM]SXPEV [1] Shabat B.V. Введение в комплексный анализ.ch.1,2. M.: “Наука”, 1985. ?A(IQ]ERSZ:*9QYQPEWLKERWMPPMUFo‘PQEKEREREPM^7SVSW)HYGEXMSREP.SYVREP 316

Menejment va zamonaviy texnologiyalar universiteti 2023-yil 14-dekabr №5 . C.121127М. [3] Борисович Ю.Г, Гелъман Б.Д, Обуховский.В.В Введение в теорию многозначных отображений и дифференциалъных включений ,Любое издание ?A//YVEXSZWOM]8STSPSKM]EXSQ11MV [5] Э.О.Аликулов.О связности производных множеств. Укр.мат.жур.1993.т.45.№1. 317

Menejment va zamonaviy texnologiyalar universiteti 2023-yil 14-dekabr ПРОВОДИМОСТЬ В КОМПОЗИЦИОННЫХ ПИРОПОЛИМЕРНЫХ МАТЕРИАЛОВ Боймуратов Ф.Т., Хасанова Л.Э Университет Алфраганус.Кафедре фармацевтика и химия, JE\VMHHMRC$VEQFPIVVY UMFT. Кафедре фундаментальные науки, PSPEOLEWERSZE$QEMPVY Аннотация: Разработаны данному работу, прыжковая проводимость в полупроводниковых пирополимеры и композиционные полимерные материалы с нанодисперсными наполнителями могут быть включены в один общий класс неоднородных систем. Ключевые слова:, прыжковая проводимость, полупроводниковых пирополимеры, нанодисперсными наполнителями, неоднородных систем. Введение. Известно, что относительно низкотемпературный (Т ≤ 450 К) электроперенос в полупроводниковом ПАН осуществляется путем моттовской прыжковой проводимости с переменной длиной прыжка (Variabl range hopping, VRH) ?A σ = σехр[(Tо/T)\A где численное значение показателя x 0.25 подтверждалось в [23] методом спрямления в заранее выбранных координатах 1g σ – Т Однако выполненный нами по данным этих работ анализ показывает, что с не меньшей точностью возможно спрямление и в других масштабах. Поэтому возникает вопрос о точном определении показателя x в (1), а в конечном счете и энергетического хода плотности локализованных состояний g(ε)=g(εε* Rвблизи энергии Ферми ε*, поскольку имеет место связь [4] х=n+1/n+d+1, где dразмерность пространства. Исследование этого вопроса представляет собой материал данной работы. Основной объект исследования порошкообразный (диаметр зерен 0.51 мкм) ПАН, термообработанный в вакууме в интервале температур ТX !650 °С изохронно в течение трех часов при каждой температуре с интервалом 50 °С. Измерения велись под давлением 3500 кг/см в камере фиксированного давления [5]. Это позволяет, исключив контактные явления между частицами порошка, изучать свойства монолитного соединения [2]. Результаты измерений σ (Т) для серии образцов ПАН приведены на рис.1. Для определения x в уравнении (1) в композитных материалах нами использован метод анализа температурной зависимости приведенной энергией активации проводимости. Этот метод обработки нами было использована для исследования температурной зависимости проводимости композиционных керамических материалов, содержащих наночастицы никеля [6,7]. В [8] показано, что для определения x можно воспользоваться уравнением 1 lg lg = =− −1 Lg = B − x lg T T T lg T где В=const, приведенная энергия активации проводимости. 318

Menejment va zamonaviy texnologiyalar universiteti 2023-yil 14-dekabr Рис.1.Электропроводность порошкообразного пироПАН, термообработанных при ТX ' На рис.2 приведена температурная зависимость для образцов, полученная графическим дифференцированием кривых рис. 1 в координатах Lg–LgТ. Видно, что имеется три' характерных области: высоко и низкотемпературная, разделенные переходной областью. В высокотемпературной области справа от кривой а на рис. 2 lgωPKТ, что соответствует x=1 в (1), т. е. проводимости с постоянной энергией активации ∆ε. Излом, соответствующий резкому уменьшению энергии активации проводимости с понижением температуры на рис. 2, свидетельствует против того, что закон (3) связан с прыжковой εпроводимостью. Таким образом, закон (2) в нашем случае соответствует εпроводимости, а величина ∆ε щели между уровнем Ферми и порогом подвижности или уровнем протекания. Рис. 2.Зависимость приведенной энергии активации порошкообразного пироПАН, от температуры. Обозначения как на рис. 1. σ = σехр(∆ε /kT) , (3) При сравнительно низких температурах слева от кривой с)lgωх lgТ с х~0.5. Это соответствует частному случаю закона (1) для проводимости с переменной энергией активации (рис. 3) σ = σехр[(Tо/T)A Формирование пирополимеров в первом приближении можно представить в виде процесса наполнения полимера ультрадисперсными «металлическими» частицами – областями полисопряжения. Поэтому пирополимеры и композиционные полимерные материалы с нанодисперсными наполнителями могут быть включены в один общий класс неоднородных систем. В отличие от композиций с нанодисперсными металлическими частицами, в пирополимерах хорошо электропроводящие области 319

Menejment va zamonaviy texnologiyalar universiteti 2023-yil 14-dekabr возникают под действием физических факторов в результате сложных химических превращений и находятся в химически связанном состоянии с непроводящими участками. Рис. 3. Электропроводность порошкообразного пироПАН в характерном для низких температур масштабе. Обозначения, как на рис.1. Анализ температурной зависимости электропроводности в рамках локальной энергия активации проводимости показывает что в этих композитах природа механизма высокотемпературной проводимости отличаются от низкотемпературной. Заключения.Высокотемпературной области ∆Е= ε–постоянно. Это означает, что в области ТТа в электропроводности в основном дают туннелирование носителей заряда между не ближайшеесоседними областями полисопряжения с постоянной энергией активации проводимости, т. е в этой области температур длина прыжка остаётся постоянным. При относительно низких температурах в области Т≤Тс в таких системах проводимость характеризуется так называемой «скользящей» энергией активации, т. е длина прыжка (r) увеличивается с уменьшением температуры по закону r ~ T?A Литературы ?A1SXX2*.2SR'V]WX7SPZSP2T [2] Магрупов М.А. Успехи химии, 1981, т.50, №11, с.2106 ?A&YGOIV;.2SR'V]WX7SPZSP2T [4] Забродский А.Г. ФТП, 1977, т.11, №3, с.595 [5] Умаров А.В., Абдурахманов У., Файзиев А.Р., Магрупов М.А. ПТЭ, 1985, №6, с.206. ?A 9QEV %FHYVEOLQERSZ 7LEQMP 7LEVMTSZ =E]VE 6EOLMQSZE 1YRMVE /EVEFEIZE ERH 1EOWYHFIO &E]HNERSZ 'SRHYGXMZMX] ERH 4IVQMXXMZMX] SJ 2MGOIP2ERSTEVXMGPI'SRXEMRMRK Ceramic Materials in the Vicinity of Percolation Threshold.// J. Am. Ceram. Soc.2006.V.89.№ TT– ?A 9QEVFIO %FHYVEOLQERSZ =E]VE 6EOLMQSZE ERH +EJYVNER 1YOLEQIHSZ -WEEG &EPFIVK 8IQTIVEXYVI (ITIRHIRGI SJ XLI 'SRHYGXMZMX] MR 'IVEQMG 1EXIVMEPW 'SRXEMRMRK 2MGOIP Nanoparticles.//. J. Am. Ceram. Soc.2009. V. 92.№.3. рр. 661– [8] Забродский А.Г., Зиновьева К.Н. Письма в ЖЭТФ, 1983, т.37, №8, с.369. 320